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JFAM20N60C mos 晶体管用于充电器 开关电源 现货供应
品牌：青岛佳恩型号：JFAM20N60C类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：600V工作电流：20A最大允许功耗：12000W用途：开关电源外形尺寸：30mm加工定制：是600V N-Channel MOSFET General DescriptionThis Power MOS
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2019-07-16 |
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JFPC12N60C mosfet 晶体管用于充电器 开关电源 LDE电源
品牌：青岛佳恩型号：JFPC12N60C类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：600V工作电流：12A最大允许功耗：7200W用途：开关电源外形尺寸：30mm加工定制：是600V N-Channel MOSFET Features- 12A, 600V, RDS(on)typ. = 0
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2019-06-16 |
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JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540
品牌：青岛佳恩型号：JNFP15N120MY21类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：15AV工作电流：1200VA IGBT模块/IGBT Module 特性：
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2019-05-30 |
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mosfet 晶体管用于开关电源、LED电源
品牌：青岛佳恩型号：JFPM15N60C类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：600V工作电流：15A最大允许功耗：9000W用途：开关电源外形尺寸：30mm加工定制：是公司介绍：青岛佳恩半导体有限公司是一家拥有核心芯片及方案技
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2019-03-16 |
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JNFP40N120M 工控用 IGBT模块替代FP40R12KT3
品牌：青岛佳恩型号：JNFP40N120M类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：40AV工作电流：1200VAJNFP40N120M IGBT Module Features： l IGBT Inverter S
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2019-03-03 |
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JNFP40N120M 工控用 IGBT模块替代英飞凌FP40R12KT3
品牌：青岛佳恩型号：JNFP40N120M类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：40AV工作电流：1200VAJNFP40N120M IGBT Module Features： l IGBT Inverter S
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2019-03-03 |
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JNFP25N120M 工控用IGBT模块替代FP25R12KT3
品牌：青岛佳恩型号：JNFP25N120M类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：25AV工作电流：1200VA详细说明
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2019-01-21 |
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